，能够同时检测多种金属元素，检出限达到ppt（parts per trillion）级别，相当于从100万立方米的水中测出1g物质。
在样品前，实验室会使用G5级别超纯酸前处理，金属杂质含量低于10ppt以此保证前处理过程不受污染，确保样品分析准确性。
多晶硅、硅片是半导体制造的重要原材料，其中的金属杂质对半导体器件的性能和稳定性有着重要影响。我们实验室能够对多晶硅、硅片表金属以及体金属杂质进行高灵敏度、高精度的检测，可达到ppt级别的金属杂质含量。
超纯酸是半导体制造中常用的重要化学试剂，其中的金属杂质会直接影响半导体器件的性能。我们实验室能够对超纯酸中的金属杂质进行检测，检测精度达到ppt级别。
除了多晶硅、硅片和超纯酸，我们实验室还能够对PE袋、手套、特种气体等相关材料中的其他金属杂质进行痕量分析，如钨、铜、铁、镍等，检测精度同样可以达到ppt级别。
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技术的强大分析能力已得到全球分析界的认可。我国新一轮国土资源大调查要求测定成千上万地球化学勘探样品中的76个元素,只有利用
法同时测定地质样品中 47个元素的评价 /
较高，极易吸附杂质粒子，从而导致硅片表面被污染且性能变差，比如颗粒杂质会导致硅片的介电强度降低，
进行光伏硅片表面Ti纳米颗粒表征的实验过程 /
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需求为1010atoms/cm2，随着工艺演进，侦测极限已降至108 atoms/cm2，可以满足此分析需求的技术以全反射式荧光光谱仪(Total Reflection X-ray Fluorescence, TXRF)与感应耦合电浆质谱仪
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